IRFH5210TRPBF
Iarrtasan
1.Secondary Side Synchronous Rectification
2.Inverters airson DC Motors
Iarrtasan Brick 3.DC-DC
4.Boost Converters
Feartan
1.Low RDSon (≤ 14.9mΩ aig Vgs = 10V)
2.Low Teirmeach Resistance gu PCB (≤ 1.2 ° C / W)
3.100% Rg air a dhearbhadh
4.Low Profile (≤ 0.9 mm)
5.Industry-Standard Pinout
6.Compatible le gnàthaichte Surface Mount Techniques
7.RoHS Gèilleadh anns a bheil Gun luaidhe, gun Bromide no Halogen
8.MSL1, Gnìomhachais Teisteanas
Sochairean
1.Lower Conduction Losses
2.Enables tearmach dissipation nas fheàrr
3.Increased earbsachd
4.Increased Power Density
Co-fhreagarrachd 5.Multi-Vendor
6.Easier Manufacturing
7.Environmentally Friendlier
8.Increased earbsachd
Àireamh Pàirt Dèanadair: IRFH9310TRPBF
Dèanadair / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Pàirt de Tuairisgeul:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Inbhe an-asgaidh le stiùir / Inbhe RoHS: Gun luaidhe / Gèilleadh RoHS
Suidheachadh stoc: Tùsail ùr, 12000 pcs Stoc ri fhaighinn.
Soitheach bho: Hong Kong
Dòigh lìbhrigidh: DHL/Fedex/TNT/UPS
Luach Buannachd Bathar Tagh Feart
Pàirt Àireamh IRFH9310TRPBF
Dèanadair / Brand Rectifier Eadar-nàiseanta (Infineon Technologies)
Meud Stoc 12000 pcs Stock
Roinn-seòrsa Toraidhean Semiconductor air leth > Transistors - FETn, MOSFETs - Singilte
Tuairisgeul MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Inbhe an-asgaidh le stiùir / Inbhe RoHS: Gun stiùir / Co-chòrdadh ri RoHS
Leud - Taobh a-staigh -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Bholtaids / gnàthach - Toradh 1 PQFN (5x6)
Fulangas 5250pF @ 15V
Seòrsa P-Seanal Tail
Ceum ceàrn MOSFET (Metal Oxide)
Lùghdaich Teòthachd Infineon Technologies
Seòrsa SFP/XFP ±20V
Comas air astar HEXFET®
Pitch - Cable Surface Mount
Ainmean Eile Saor an-asgaidh / RoHS Gèillidh
Ainmean Eile 1
Seòrsa oscillator 8-PowerVDFN
An àireamh de DAC's 30V
Iom-tharraing sònraichte leaghaidh as ìsle -
Treòrachadh suirghe 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Dèanadair Pàirt Àireamh IRFH9310TRPBFDKR-ND
Length - Barrel Digi-Reel®
Dath lampa 4.5V, 10V
Voltage taobh àrd - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Gnìomh 58nC @ 4.5V
Coil Power Gnìomhach
Capacitance seanail (CS (dheth), CD (dheth)) 3.1W (Ta)
Seòrsa leughadair cairt 2.4V @ 100µA
Feartan agus buannachdan
Feartan Buannachdan Toradh
RDSon ìosal (≤ 4.6mΩ) Call giùlan nas ìsle
Co-fhreagarrachd ioma-reiceadair pacaid PQFN aig ìre gnìomhachais
Gèilleadh RoHS Gun stiùir, gun bromide no gun halogen a tha càirdeil don àrainneachd
toraidhean a-steach
Thoir an aire
Meud Foirm
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Teip agus Ruidhle 4000
Àireamh pàirt òrdaichte Seòrsa Pasgan Pasgan Coitcheann
VDS -30 V
RDS (air) as àirde
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (àbhaisteach) 110 nc
RG (àbhaisteach) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Ìrean iomlan as àirde
Aonadan paramadair
Voltage Drain-gu-Stòr VDS
Voltage Gate-to-Source VGS
ID @ TA = 25 ° C drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ -10V
ID @ TC = 25 ° C drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ -10V (Silicon Earranta)
ID @ TC = 70 ° C drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ -10V (Silicon Earranta)
ID @ TC = 25 ° C drèanadh leantainneach an-dràsta, VGS @ -10V (Package Limited)
Draen pulsed IDM an-dràsta
PD @TA = Sgaoileadh cumhachd 25 ° C
PD @ TA = Sgaoileadh cumhachd 70 ° C
Factar derating sreathach W / ° C
Snaim obrachaidh TJ agus
Raon Teòthachd Stòraidh TSTG
Ìre ath-aithris;leud cuisle cuingealaichte le max.teòthachd snaim.
A’ tòiseachadh TJ = 25 ° C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Leud pulse ≤ 400µs;cearcall dleastanais ≤ 2%.
Nuair a thèid a chuir suas air bòrd copair 1 òirleach ceàrnagach.
Tha Rθ air a thomhas aig TJ timcheall air 90 ° C.
Airson TAIC DEARADH A-MHÀIN, gun a bhith fo ùmhlachd deuchainn toraidh.
